Tranzistory jsou zesilovací polovodičové prvky. Je možno je dělit na bipolární a unipolárnítranzistory podle toho, zda se na zesilování podílí oba typy nosičů nábojů (vodivostní elektrony a díry), nebo jen jeden typ nosičů.
Konstrukce bipolárního ( NPN ) tranzistoru
- skládá se ze 3 na sobě ležících vrstev polovodičového materiálu
- podle sledu vrstev se dělí bipolární tranzistory na NPN a PNP
- oba typy tranzistorů (NPN, PNP) se chovají navzájem komplementárně
Konstrukce unipolárního tranzistoru
- Silně dotované zóny hradla (P+) odpuzují kolem procházející nosiče nábojů a vyklánějí jejich dráhy do středu mezi plošky hradla.
- Při zapojení napětí mezi G a S v závěrném směru se rozšíří kolem plošek hradla (G) zóny bez volných nosičů nábojů a zúží se tím vodivý kanál pro nosiče nábojů.
- Mimořádně malý hradlový (Gate) proud lze úplně potlačit, odděluje-li kovové elektrody hradla od křemíkového krystalu (vodivého kanálu) izolační vrstva (oxidu křemičitého). Mluvíme pak o FET tranzistorech s izolační vrstvou (IG-FET) Tyto tranzistory se pro svou technologii Nazývají Metal-Oxid-Semiconduktors (MOSFET).
- Izolací hradla se dosáhle extrémně vysokého vstupního odporu (1012-1015 Ω)
- Přes hradlo teče nepatrně malý proud – několik femtoampérů (1fA = 10-15A)
|
Příklady tranzistorů |
|
|
N-FET |
BF245A |
|
N-MOSFET |
BS008 |
|
P-MOSFET |
BS250 |
|
NPN |
BC548C |
|
PNP |
BC559C |